VASP计算差分电荷的具体流程如下：
1. 优化结构：首先需要优化整个系统的结构，例如OOH吸附在NiO(111)表面的情况。这一步确保了三次自洽计算中使用的FFT网格一致性（NGXF, NGYF, NGZF）。
2. 分别优化片段：然后分别优化系统中的各个片段，例如OOH和NiO(111)表面，以获得各自的CHGCAR文件，这些文件包含了电荷密度信息。
3. 计算差分电荷密度：使用vtstscript脚本包进行电荷差分计算，该脚本可以读取不同CHGCAR文件并计算电荷密度差，得到差分电荷文件。
4. 可视化：将生成的差分电荷文件导入到VESTA软件中进行可视化，以观察电荷密度的变化。在VESTA中，可以通过设置等值面来显示电荷密度的增加或减少。
通过这些步骤，可以分析成键过程、结构弛豫前后的电荷转移，以及吸附分子与衬底之间的电荷传输等。
晶体结构优化结果：
差分电荷计算结果：
自洽计算INCAR文件：
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